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Etapas óptimas de sistemas de captación y almacenamiento de energía de RF

 Resumen 
Este documento revisa los modelos de sistemas de captación de energía de Radiofrecuencia (RF) a partir de la información recogida en varios artículos publicados en repositorios científicos de todo el mundo. Tiene como objetivo registrar información relevante de cada uno de ellos, como: topología del sistema, circuitos y características de cada etapa, componentes electrónicos utilizados, dimensiones, entre otros, para tabular y cotejar estos datos, con el fin de determinar cuál es el que presenta mejores características por etapa y así considerarlo para realizar una investigación profunda y mejorar su diseño para captar energía.
 En este estudio se utilizó una metodología dividida en cuatro fases: investigación, lectura científica, extracción de información relevante y tabulación. Una vez realizado el estudio de los sistemas seleccionados, se compararon los resultados obtenidos en cada uno y se seleccionó la topología, circuitos o elementos que obtuvieron mejores resultados para las etapas: Antena, Acoplamiento, Rectificación, Administración de energía y Almacenamiento de energía. Finalmente, se creó una aplicación para dispositivos Android en la que se encuentra toda la información recolectada y los resultados obtenidos de manera que funcione como una fuente de consulta para futuras investigaciones. 
Palabras clave Recolección de energía; Radiofrecuencia; Multiplicadores de voltaje; Rectena; Etapas. 
Abstract This document presents a review of models of Radiofrequency (RF) energy harvesting systems, extracted from articles published in scientific repositories around the world. Its objective is to extract relevant information from each of them, such as: system topology, circuits and characteristics of each stage, electronic components used, dimensions, among others. With this information, the data is tabulated and compared, in order to determine which one has the best characteristics according to each stage and consider it to carry out a deeper investigation and improve its design to capture more energy. To carry out this study, a methodology divided into four phases was used, which are: research, scientific reading, extraction of relevant information and tabulation. Once the study of the selected systems was carried out, a comparison was made between the results obtained in each one and the topology, circuits or elements that obtained the best results for the stages of: Antenna, Coupling, Rectification, Energy Management and Storage were selected. of energy. Finally, an application for Android devices was created in which all the information collected, and results obtained are found so that it works as a reference source for future research. 
Keywords Energy Harvesting; Radiofrequency; Voltage Multipliers; Rectenna; Stages. 
1. Introducción
 El uso de dispositivos inalámbricos se ha incrementado paulatinamente desde su creación, porque resultan más prácticos en comparación con los cableados, debido a su versatilidad y facilidad de transporte al no contar con un cable que los sujete todo el tiempo a una toma de corriente, además de que es la ruta esencial para la interconexión de objetos inteligentes (Cama A, De La Hoz y Cama D, 2012). Estos dispositivos tienen como fuente de energía principal una o más baterías, que se encargan de suministrar la energía eléctrica necesaria para que realicen sus operaciones (Tobar, 2021). Sin embargo, la esperanza de vida útil de una batería es limitada y puede reducirse según su tiempo de uso, mantenimiento inadecuado, sobrecarga o escasez de carga, entre otras (Rajshekhar et al., 2019). Por tanto, es necesario encontrar una fuente de energía permanente y más confiable (Awais et al., 2019). La vida útil de una batería se expresa como el número de ciclos de carga/descarga que puede soportar. Las baterías de Litio pueden soportar de 500 a 7000 ciclos, según su tecnología y el uso que se les dé, por lo que no son sistemas sostenibles a medio y largo plazo (Cansiz, Altinel y Kurt, 2019) (Núñez, 2018). Con el fin de dar solución a este problema, ha surgido una tecnología conocida como recolección de energía o captación de energía, que consiste en capturar y convertir las ondas electromagnéticas existentes en el ambiente en energía eléctrica DC (Takhedmit et al., 2014). Existen diversas fuentes de energía en el ambiente: hidráulica, térmica, solar, eólica, radiofrecuencia, sonido, movimiento, vibración etc. (Tony y Hiryanto, 2019) (Garg N. y Garg R., 2017). Estas fuentes se han utilizado por muchos años a gran escala para generar energía eléctrica, como en centrales hidroeléctricas o centrales eólicas (Elahi et al., 2020). Para aplicaciones de baja potencia, la tecnología de recolección y almacenamiento de energía de radiofrecuencia ha crecido drásticamente (Lu et al., 2015), gracias a que este tipo de señales prevalecen en el ambiente, como señales de TV, radio, telefonía celular, satelital Wifi, entre otras (Kim et al., 2014). El objetivo de este trabajo es responder a la pregunta: ¿Cuáles son las topologías, de circuitos que presentan mejores características para cada etapa de un sistema de captación de energía de RF?, mediante el análisis de resultados de sistemas propuestos en diferentes artículos científicos. Para determinar un modelo de sistema óptimo con el que se pueda obtener mejores resultados. En la figura 1. se muestra el esquema de un sistema de captación y almacenamiento de energía de RF conformado generalmente por las siguientes etapas: antena; acoplamiento; rectificación de voltaje; administración de energía y almacenamiento de energía. (Adnan et al., 2019) (Ali, Albasha y Qaddoumi, 2013) (Dolgov, Zane y Popovic, 2010).
Estos sistemas se pueden dividir en dos categorías. La primera es para captación de RF ambiental pasiva en la que se aprovechan las señales existentes en el ambiente como las de TV, FM, AM, WiFi, etc. La segunda es para la captación de señales RF de una fuente especifica controlada (Moghaddam et al., 2017). Las señales de radiofrecuencia son capturadas por la antena que es un elemento encargado de transformar ondas electromagnéticas en energía eléctrica (Ong, Karim y Nasimuddin, 2014). El circuito de acoplamiento de impedancias es utilizado para asegurar la máxima transferencia de potencia posible entre las etapas de antena y rectificador (Mindan y Hong, 2010). El rectificador es el encargado de transformar la corriente alterna AC en 77 Enfoque UTE, V.14 -N.1, Ene. 2023, pp. 75-90 corriente directa DC (Arrawatia, Baghini y Kumar, 2016). El multiplicador de voltaje es necesario debido a que el voltaje entregado por el rectificador normalmente es muy pequeño, por lo que se utiliza para incrementar el nivel de voltaje DC (Sari y Uzun, 2019). Toda esta energía captada se puede reservar en un dispositivo de almacenamiento de energía o puede ser entregada directamente a el dispositivo de aplicación (Kaur, Sharma y Kumar 2018), la etapa encargada de realizar esta gestión es la de administración de energía (Zeng et al., 2020). Para la etapa de almacenamiento de energía los dispositivos más utilizados son baterías recargables sin embargo el uso de supercondensadores se viene estudiando, debido a que cuentan con mejores características como, ciclos de carga/descarga y eficiencias mayores (Kim y Chou, 2015). La etapa final de un sistema de captación de energía es la de aplicación o dispositivo que se conecta al sistema para alimentarlo con la energía captada (Cansiz et al., 2019). El presente trabajo de investigación ha permitido desarrollar una aplicación para dispositivos Android, la cual provee toda la información y resultados obtenidos. La utilidad de la aplicación desarrollada es que contiene el estado del arte acerca de las etapas óptimas de sistemas de captación y almacenamiento de energía de RF, que se irá actualizando de manera periódica mensual. Esta aplicación será muy útil para los investigadores expertos en el área, ya que proporciona información científica de manera didáctica, organizada, sintetizada y actualizada, lo que facilita el acceso y la optimización de diversos recursos como el tiempo y los recursos económicos, ya que los investigadores tendrán acceso inmediato a la información científica actualizada. Un valor agregado de la aplicación para dispositivos Android es la motivación a la investigación, porque contribuye con una herramienta de fácil acceso y manejo para los profesionales que están comenzando sus actividades investigativas en esta área. Ya que tendrán en sus manos una herramienta que provee información científica que facilitará la asimilación de los conceptos de una manera didáctica y rápida, motivándoles a dichos profesionales a continuar sus estudios en el área.

ES MUY REDUNDANTE 

 2. Metodología 
Se realiza una investigación exhaustiva acerca de sistemas de captación de energía para radiofrecuencia, en repositorios institucionales y revistas indexadas. Para ello, se tomaron en cuenta trabajos en los cuales se describa el diseño, la topología y características de los circuitos empleados para las etapas fundamentales de un sistema de captación de energía y que detallen claramente los resultados medidos y simulados de su trabajo. De los documentos encontrados se han identificado 15 sistemas de captación de energía y 5 sistemas multiplicadores de voltaje que cumplen con las características de selección, además de presentar mejores resultados con respecto a trabajos similares. 
Estos sistemas son: 
• S1: Sistema de recolección de energía (Energy Harvesting), que emplea la corriente Corona y señales de alta frecuencia. 
• S2: Sistema de Cosechamiento de Energía con Radio Frecuencia. 
• S3: Microstrip Antenna Designs for RF Energy Harvesting.
 • S4: “Radio Frequency Energy Harvesting System Making Use of 180º Hybrid Couplers and Multiple Antennas to Improve the DC Output Voltage”. 
• S5: “Design of a High-Efficiency 2.45-GHz Rectenna for Low-Input-Power Energy Harvesting”. 
• S6: “A Dual-Frequency Ultralow-Power Efficient 0.5-g Rectenna”. 78 Enfoque UTE, V.14 -N.1, Ene. 2023, pp. 75-90 
• S7: “A Dual-Band Rectenna Using Broadband Yagi Antenna Array for Ambient RF Power Harvesting”. 
• S8: “A High-Efficiency Broadband Rectenna for Ambient Wireless Energy Harvesting”. 
• S9: “Wireless Power Harvesting with Planar Rectennas for 2.45 GHz RFIDs”. 
• S10: “A Compact Dual-Band Rectenna Using Slot-Loaded Dual Band Folded Dipole Antenna”. 
• S11: “A Compact Fractal Loop Rectenna for RF Energy Harvesting”. 
• S12: “Energy harvesting and management from ambient rf radiation”.
 • S13: “A Compact Slot Loop Rectenna for Dual-Band Operation at 2.4- and 5.8-GHz Bands”. 
• S14: Conditioning System for An Electromagnetic Energy Collection Device. 
• S15: RF Energy Harvesting using Efficient Power Management System 
• S16: “Efficiency enhanced voltage multiplier circuit for RF energy harvesting”. 
• S17: “A 13.56 MHz Low-Voltage and Low-Control-Loss RF-DC Rectifier Utilizing Reducing Reverse Loss Technique”. 
• S18: “Efficient ultra low power rectification at 13.56 MHz for a 10 µA load current”. 
• S19: “Analysis and Design of Cmos Full-Wave Rectifying Charge Pump for RF Energy Harvesting Applications”. 
• S20: “Design of 900 MHz AC to DC Converter Using Native CMOS Device of TSMC 0.18 Micron Technology for RF Energy Harvest Application”. 
Se analizó cada sistema y los datos obtenidos para cada uno son: 
S1: Este sistema está conformado por las etapas: antena, acoplamiento, rectificación, administración de energía y almacenamiento de energía. Utiliza una antena tipo ETC (Electrodo tipo corona), con ganancia de 5.36 dBi, a una frecuencia de trabajo de 0.110 GHz. Para la red de acoplamiento antena-rectificador utiliza un conector con conversor de BNC (“Bayonet NeillConcelman”) a SMA (“SubMiniature version A”). Para la rectificación, en modo de recolección de corriente corona se utiliza un puente rectificador con diodos 1N4148 y un zener de 3.9V para regular el voltaje. Para el almacenamiento se utiliza una batería de litio con un voltaje nominal de 3.7 V (Guerrero, 2016). 
S2: La antena propuesta es de tipo monopolo espiral con tecnología microstrip la cual trabaja a 915 MHz. Para el acoplamiento utiliza un acoplador del modo “single stub”. En la rectificación se utiliza un circuito doblador de voltaje tipo Villard de cuatro etapas con el integrado HSMS-285C. La energía recolectada es aplicada directamente utilizando una resistencia de carga de 85 KΩ como etapa de aplicación (Torrealba et al., 2016). 
NO TODOS LOS TRABAJOS DAN TODOS LOS DETALLES, SOLO MENSIONA QUE USARON Y QUE OBTUVIERON
S3: El autor presenta una “Square Microstrip patch antena”, diseñada para una frecuencia única de 2.4 GHz. Las simulaciones realizadas en el software HFSS, muestran que, para una frecuencia de 2.43 GHz, la pérdida por retorno es de 9.815dB, un VSWR (relación de onda estacionaria de voltaje) de 1.9543, una impedancia de 50.1468 ohmios y una ganancia de 7.69dB. Para el acoplamiento utiliza un circuito en L con dos inductores en serie. Para la rectificación se utiliza un circuito doblador de dos etapas conformado por diodos Schottky y condensadores electrolíticos (Ramesh y Rajan, 2014). 
S4: Este sistema utiliza antenas multibanda con tecnología microstrip para formar un arreglo de hasta 4 antenas. Para ello, se implementó una etapa de combinadores de energía RF, compuesto por tres circuitos acopladores híbridos de 180° configurados en modo de suma. Se cuenta con una red de acoplamiento de impedancias tipo stub por cada banda de operación. 79 Enfoque UTE, V.14 -N.1, Ene. 2023, pp. 75-90 Para la rectificación utiliza un circuito doblador de voltaje con diodos Schottky SMS7630-079LF (Martinez et al., 2020).
 S5: El artículo presenta una antena tipo CPS-microstrip, que trabaja a una frecuencia de 2.45 GHz con ganancia de 8.6 dBi y dimensiones de 90x87x0.635 mm. El autor explica que se realizó este diseño por su estructura simple y con el fin de lograr ganancias altas. Para el acoplamiento diseña un acoplador de doble stub, con el cual se conecta a un rectificador de media onda con diodos Schottky HSMS-2852 (Sun et al, 2012).
 S6: El autor propone un arreglo de antenas tipo Yagi-Uda con tecnología microstrip, a una frecuencia de trabajo de 915 MHz y 2.45 GHz. Con la simulación se obtuvo ganancias de -3.03 dBi para la frecuencia de 915 MHz y 7.59 dBi para 2.45 GHz. Se utiliza un acoplamiento directo entre la antena y el rectificador. La etapa de rectificación está formada por un circuito rectificador no lineal con diodos Schottky. La resistencia de carga utilizada es de 2.2 KΩ (Scheeler, Korhummel y Popovic, 2014).
 S7: El articulo presenta un arreglo de 4 antenas Cuasi-Yagi con tecnología microstrip, diseñadas para trabajar a un ancho de banda de 1.8 a 2.2 GHz y ganancias altas de 10.9 y 13.3 dBi, respectivamente. El circuito de acoplamiento es de doble frecuencia optimizado por separado para que coincida con la impedancia de entrada del rectificador a 50 ohms. Para la rectificación se adopta una topología de diodos en serie, un diodo Schottky HSHS-2852 entre el circuito de acoplamiento y el filtro pasa banda (Sun et al, 2013). 
S8: Los autores realizan el diseño de una antena plana de doble polarización para la banda de frecuencias de 1.8 a 2.5 GHz, con ganancias de 2.5 y 4.12 dBi, respectivamente y unas dimensiones de 70x70x13.2 mm. El circuito de acoplamiento diseñado es de dos ramas. El rectificador utilizado es de onda completa llamado Greinacher, equivalente a un multiplicador de voltaje de dos etapas, los diodos utilizados son tipo Schottky SMS7630. La resistencia de carga óptima se calculó en 14.7 KΩ (Song et al, 2015). 
S9: La antena propuesta es un diseño de antena tipo patch microstrip para la frecuencia de 2.45 GHz. Con las simulaciones realizadas se obtuvo una ganancia de 4 dBi. Para la rectificación el autor diseñó un multiplicador de voltaje Dickson de dos etapas con diodos Schottky. La resistencia de carga utilizada es de 13 KΩ. Se evaluó la efectividad del sistema utilizando un diodo emisor de luz (LED) de 1.5 V (Olgun, Chen y Volakis, 2010). 
S10: Este sistema está compuesto por una antena tipo “Slot-Loaded Dual Band Folded Dipole” que opera a frecuencias de 915 MHz y 2.45 GHz, lograron ganancias de 1.87 dBi y 4.18 dBi, respectivamente, con dimensiones de 60x60x60 mm. La etapa de acoplamiento está conformada por tres inductancias y un stub radial. Para la rectificación se utiliza un diodo Schottky SMS7630 después de la etapa de acoplamiento y un condensador para eliminar el rizado. Se utiliza una resistencia de carga de 2.2 KΩ. Las mediciones con este sistema se realizaron para una densidad de 1 µW/cm^2 y muestran eficiencias de conversión de RF a DC de 37 % y 20 % para las frecuencias 915 MHz y 2.45GHz respectivamente con una potencia de entrada de 0 dBm (Niotaki et al., 2013). 
S11: Se presenta el diseño de una antena tipo bucle fractal (M. Zeng A. S.-Z., 2016), para la frecuencia de 1.8 GHz con una ganancia medida de 3 dBi, con mediciones reducidas. Para el acoplamiento de impedancias el autor propone un ILGP (“in-loop ground plane”), permitiendo un buen acoplamiento a 50Ω. El rectificador de este sistema se encuentra integrado dentro del bucle, basado en el rectificador de onda completa de Greinacher. Las mediciones se realizaron 80 Enfoque UTE, V.14 -N.1, Ene. 2023, pp. 75-90 a 10 m de una estación base celular y se agregó un condensador de 330 µF para almacenar la energía recolectada (Zeng et al, 2017).
 S12: En este artículo se propone una antena de parche microstrip rectangular que trabaja en el rango de la banda de GSM 900. El autor describe el uso de un circuito de acoplamiento de impedancias, sin embargo, no se especifica el tipo o sus características. Para la rectificación se utiliza un multiplicador de voltaje tipo Dickson de 3 etapas con diodos Schottky HSMS-2850. El circuito integrado utilizado es el LM2577 que permite regular o incrementar el voltaje de entrada del circuito. Se utiliza un “Thin capacitor” de 470 µF para almacenar la energía recolectada y entregarla a la batería. Finalmente cuenta con un relé de 5 pines para cambiar el voltaje de la batería a la carga. (Nalini et al., 2017). 
S13: Este sistema presenta una antena de ranura de bucle cuadrada. De doble banda para frecuencias de 2.4 GHz y 5.8 GHz. La etapa de acoplamiento de impedancias está formada por una derivación conectando un circuito de acoplamiento tipo T pasa bajos y pasa altos. El circuito rectificador se compone de dos ramas paralelas formadas cada una por un diodo y un condensador conectados en serie y una resistencia de carga de 5.1 KΩ conectada entre la unión de los dos ramales (Huang y Chen, 2016). 
S14: Este artículo presenta una etapa de acoplamiento mediante un stub simple entre una antena tipo Log-periódica a 2.4 GHz y un multiplicador tipo Dickson de 4 etapas con diodos Schottky HSMS286C, las mediciones realizadas muestran que con la etapa de acoplamiento el voltaje de salida del sistema se incrementa gracias a que toda la energía que capta la antena se transfiere hacia el multiplicador cas sin perdidas, para la etapa de almacenamiento de energía se utiliza una pila NiMA de 1.2V (Balarezo et al., 2022). 
S15: Se presenta el diseño de un multiplicador de voltaje de onda completa con transistores PMOS y elaborado con tecnología Metal-óxido-semiconductor complementario (CMOS) de 7 etapas. Las simulaciones de este sistema se realizaron con una corriente de carga de 10 µA. los resultados muestran que para una señal de RF única de 900 MHz y un voltaje de entrada de 390 mV (Mane et al., 2020). S16: Este sistema cuenta con una topología tipo diferencial de dos etapas fabricado con tecnología de 0.18 µm CMOS. La frecuencia de trabajo es 433 MHz. Las mediciones se realizaron con resistencias de carga de diferentes valores y con una potencia de entrada en el rango de 0 dBm a 20 dBm. Los resultados demostraron que este sistema presenta una eficiencia de conversión de potencia del 74 % para una potencia de entrada de 2 dBm y con una resistencia de carga de 5 KΩ (Chouhan, Nurmi y Halonen, 2016). 
S17: El autor presenta un rectificador de 3 etapas diseñado con técnicas de RRL (reducción de perdida inversa), lo que permitiría una alta eficiencia de conversión de potencia. El tipo de rectificador se lo denomina “Comparator-based / Active-diode”. La frecuencia de trabajo es 13.56 MHz. Este circuito presentó una eficiencia de conversión de potencia del 67.9 % para una potencia de entrada de 12.8 dBm (Hwang et al, 2014). 
S18: El multiplicador de voltaje presentado es un rectificador tipo Greinacher de 3 etapas, con frecuencia de trabajo de 13.56 MHz y fabricado con tecnología CMOS. Para realizar las mediciones se utilizó un generador de ondas, para una corriente de carga de 10 µA, obteniendo que para 1 Vpp como voltaje de entrada se alcanza 1.985 V DC a su salida, con una eficiencia de conversión de potencia del 72 % (Haddad et al., 2014). 
S19: Se presenta el diseño de un multiplicador de voltaje de onda completa con transistores PMOS y elaborado con tecnología CMOS de 7 etapas. Las simulaciones de este sistema 81 Enfoque UTE, V.14 -N.1, Ene. 2023, pp. 75-90 se realizaron con una corriente de carga de 10 µA. los resultados muestran que para una señal de RF única de 900 MHz y un voltaje de entrada de 390 mV. El voltaje en la salida incrementa a 1 V, por lo que la eficiencia de conversión de potencia es del 44 % (Wang, Chen y Wong, 2015). 
S20: Se presenta un multiplicador de voltaje de media onda de 4 etapas que utiliza dispositivos nativos con tecnología TSMC CMOS de 0.18 µm. Este sistema trabaja a 900 MHz. Para las mediciones se utiliza una resistencia de carga de 100 KΩ y un voltaje de entrada de 390 mV. En la salida del circuito se mide un voltaje DC de 2.1 V. la eficiencia del multiplicador es del 37.42 %. (Rodríguez, Cruz y Ramos, 2015). En la tabla 1 se presenta un resumen comparativo de los parámetros relevantes para la investigación como tipo de antena, acoplamiento, rectificación, voltaje recolectado y eficiencia que presentan cada uno de los sistemas estudiados. Tabla 1. Tecnologías utilizadas para cada etapa del sistema y sus resultados

3. Resultados y discusión 
Una vez analizados los artículos seleccionados, se compararon los diferentes sistemas, topologías, circuitos y elementos que se utilizaron para las etapas de: antena, acoplamiento, rectificación, administración de energía y almacenamiento de energía en cada uno de los sistemas, así como los resultados obtenidos, con el fin de seleccionar los que presenten las mejores características en cada etapa, como se visualiza en la tabla 2
Tabla 2. Resultados más eficientes para cada etapa de un sistema de recolección de energía.

Al tener en cuenta los resultados de las antenas estudiadas en los diferentes artículos, se puede deducir que la antena con mayor ganancia es la de tipo Quasi-yagui para 1.8 y 2.2 GHz, no obstante, es la antena que cuenta con las mayores dimensiones de todas. Por otro lado, la antena tipo “CPS-microstrip” para una frecuencia de 2.45 GHz con una ganancia elevada de 8.6 dBi tiene dimensiones un tanto más reducidas, sin embargo, es aún demasiado grande como para ser considerada óptima, según los parámetros considerados. Finalmente se podría considerar como un modelo de antena óptimo, a la antena tipo “Microstrip patch antenna”, para frecuencias de 2.43 GHz presentada en (Ramesh y Rajan, 2014). La cual posee una ganancia de 7.69 dBi y de dimensiones muy reducidas, que la hace idónea para este tipo de aplicaciones. El patrón de radiación de esta antena se presenta en la figura. 2. Figura 2. Patrón de radiación de la antena tipo “Microstrip patch” (Ramesh y Rajan, 2014)
.DI LOS DEFECTOS Y QUE LE FALTAPOR MEJORAR

La etapa de acoplamiento de impedancias se encarga de incrementar lo máximo posible, la transferencia de potencia entre las etapas de antena y rectificación, esto se logra al igualar las impedancias de estas dos etapas mediante componentes resistivos inductivos y capacitivos o mediante acoplamiento con uno o más stubs (Shinki et al., 2017). 
De las metodologías de acoplamiento utilizadas en los sistemas estudiados, la que sobresale es la presentada en 84 Enfoque UTE, V.14 -N.1, Ene. 2023, pp. 75-90 “A High-Efficiency Broadband Rectenna for Ambient Wireless Energy Harvesting” (Song et al., 2015), de un circuito de acoplamiento de impedancias de dos ramas. La rama superior está compuesta por un stub radial, un stub corto y un chip inductor de 6-nH, para acoplar el circuito alrededor de 1.8 y 2.5 GHz. La rama inferior está formada por un stub corto en codo y un chip inductor de 1.8-nH, para acoplar el circuito a 2.1 GHz. Este tipo de acoplamiento dio como resultado una máxima eficiencia de conversión de 70 % y de dimensiones reducidas. Para la etapa de rectificación según Scorcioni, Larcher y Bertacchini (2012) entre las diversas soluciones de circuito propuestas para los rectificadores de voltaje, la mejor opción en Radiofrecuencias es el multiplicador de voltaje clásico de Dickson. Esta topología de multiplicador de voltaje es la más adecuada para trabajar con RF, debido a que no son necesarios diodos o componentes inductores y el voltaje de salida depende de la amplitud del voltaje de entrada, la calidad de voltaje a través del transistor y el número de etapas de multiplicación.
 Considerando transistores idénticos y capacitancias suficientemente altas como para que su impedancia sea despreciable, con este principio Chouhan, Nurmi y Halonen (2015) presentan un multiplicador de dos etapas utilizando tecnología estándar CMOS 0.18 um, este sistema se considera el más óptimo entre los estudiados debido a su eficiencia medida que alcanza el 74 % con una potencia de entrada de -2 dBm (Scorcioni et al., 2012) (Chouhan et al., 2015). La unidad de administración de energía es una parte integral en sistemas de recolección de energía, ya que se encarga de controlar el almacenamiento de la energía recolectada por el sistema, además gestiona la distribución de energía disponible para la etapa de aplicación con el fin de incrementar la vida útil del dispositivo, manteniendo la calidad de servicio QoS (Piñuela, 2013). Usualmente son circuitos integrados que contienen en su interior funciones que permiten la gestión de la energía que ingresa para transferirla de manera eficiente (Martinho, 2020). Para la etapa de administración de energía en el artículo Piñuela (2013) y Eid et al. (2017), se utiliza el circuito integrado BQ25504 que es un circuito integrado convertidor elevador de potencia ultra baja con gestión de batería, fabricado por Texas Instruments Inc, cuenta con características de bajo consumo de corriente y bajo voltaje de entrada que varía entre 80 mV y 330 mV (Zhang et al., 2020), lo que lo hace ideal para este tipo de sistemas, que incluye un elevador que aumenta su voltaje de entrada a niveles útiles de entre 2.4 V y 5.3 V; además cuenta con un modelo de gestión de batería que se utiliza para controlar el ciclo de trabajo de la potencia de salida a la carga. Los circuitos de recolección de energía están diseñados para producir una cierta cantidad de potencia. Si la potencia media cosechada es mayor que el consumo de energía de la carga, el circuito de recolección puede alimentar la carga continuamente (Jabbar, Song y Jeong,2010). Por lo tanto, no se requiere ningún dispositivo de almacenamiento de energía. De lo con-trario, si la potencia media cosechada es menor que el consumo de energía de la carga, dicha energía debe acumularse en un dispositivo de almacenamiento de energía, hasta que sea capaz de alimentar a la carga (Cansiz et al., 2019). Para el almacenamiento de energía, se tiene como una alternativa las baterías convencionales que pueden ser de diferentes tipos como: níquel cadmio (NiCd), plomo ácido sellado (SLA), hidruro metálico de níquel (Ni-MH) (Gudan et al, 2014), entre otras. Para la elección del tipo de batería a utilizar se puede considerar los siguientes parámetros:
 • Eficiencia de conversión de energía versus bajo nivel de potencia de entrada. 
• Conversión de energía eficiencia versus alto nivel de potencia de entrada. 
• Eficiencia de conversión de energía versus rango ampliado de potencia de entrada. 85 Enfoque UTE, V.14 -N.1, Ene. 2023, pp. 75-90 a b c Otra opción para esta etapa es el uso de supercondensadores que son una variación del condensador electrolítico común, con la diferencia de que posee una considerable capacidad de almacenamiento energético (Pérez, 2016). Entre las ventajas con las que cuentan los supercondensadores están su mayor entrega de potencia, períodos de carga más cortos, ciclos de carga de miles o millones, soportan valores de corriente altos, alta eficiencia, gran rango de tensión, sin mantenimiento, menor tamaño, buen desempeño en temperaturas extremas. Algunas de sus desventajas son, densidad energética limitada (Sharma y Bhatti, 2010), no puede utilizar el espectro de energía completo, células con bajas tensiones, alta autodescarga, precio elevado y que es un poco más complejo (Berrueta et al., 2019). La etapa de aplicación o carga se refiere al dispositivo el cual se desea alimentar con el sistema de captación de energía. Puede ser desde un componente simple como un LED hasta dispositivos electrónicos más complejos como teléfonos celulares inteligentes (P. Sivagami et al., 2018). Se debe tener en cuenta que la energía recolectada por este tipo de sistemas normalmente es reducida, para las bandas de frecuencia más comunes, la potencia de las ondas de RF, usualmente menores a 1 µW/cm^2 (Luo et al., 2019), por lo que se utilizan mayormente para aplicaciones que requieren baja potencia (Yathavi et al., 2021). La eficiencia de energía en la etapa de aplicación está directamente relacionada con la impedancia del sistema. Lo que se busca es que no exista una diferencia de impedancias entre la carga y la etapa de administración de energía, de este modo no habrá potencia reflejada por lo que el coeficiente de reflexión será cero y no existirán pérdidas de potencia (Cansiz et al., 2019). Como complemento se obtiene una app de consulta y visualización de los parámetros óptimos obtenidos para cada una de las etapas de un sistema de captación de energía según la investigación realizada, donde al pasar de la pantalla de inicio se observa las opciones de cada etapa y al seleccionar una opción, se desplegar una ventana con su descripción y parámetros óptimos, lo cual se puede observar en la figura 3. Figura 3. Aplicación realizada a: pantalla principal, b: menú de selección, c: etapa seleccionada.
4. Conclusiones y recomendaciones
 Se ha realizado un estudio comparativo de 15 sistemas de captación de energía de radiofrecuencia, extraídos de repositorios científicos alrededor del mundo. De los trabajos analizados durante el estudio se puede concluir que un sistema de captación de energía de Radiofrecuencia está conformado por 4 etapas fundamentales: Antena, Acoplamiento, Rectificación y Almacenamiento de energía, no obstante, en ciertos sistemas se incluye una etapa de: Administración de energía, con el fin de optimizar el reparto de la energía captada, ya sea hacia la batería o hacia la carga, de esta manera se puede incrementar la eficiencia del sistema. Para la etapa de antena el diseño óptimo es la antena tipo “Microstrip patch”, debido a su ganancia alta alrededor de 7.69 dBi, dimensiones reducidas en el orden de los centímetros, facilidad de diseño y proceso simple de fabricación. La frecuencia de operación de la antena la determina cada autor según sus necesidades, siendo las más utilizadas las antenas multibanda puesto que pueden captar energía de múltiples bandas de frecuencia al mismo tiempo. Para la etapa de acoplamiento el más utilizado es el tipo de acoplamiento con stubs puesto que es sencillo de diseñar y no ocupa demasiado espacio en un circuito, normalmente la impedancia de acoplamiento es de 50 Ω. 
MIRA QUE ETAPAS TIENE, Y BUSCA PAPERS ESPECIFICOS DE ESA ETAPA
Además, para la etapa de rectificación se estudiaron 5 artículos dedicados específicamente a multiplicadores de voltaje eficientes, la topología que se recomienda utilizar es la del multiplicador de voltaje tipo Dickson con tecnología CMOS, es con esta tecnología que se realizó el multiplicador que presenta mejores resultados el cual consta de dos etapas y con una eficiencia del 74 %. En lo que respecta a la etapa de administración de energía, se ha encontrado que usualmente se utiliza el circuito integrado BQ25504, debido a sus prestaciones y características de bajo consumo. Para la etapa de almacenamiento de energía, los componentes más utilizados son el condensador electrolítico y baterías recargables. El uso de supercondensadores podría mejorar la eficiencia de los sistemas en esta etapa debido a su mayor densidad de potencia y su capacidad de liberar su carga lentamente a diferencia de los condensadores electrolíticos comunes. Finalmente, en la etapa de aplicación algunos autores realizan pruebas exitosas al lograr encender dispositivos electrónicos pequeños como diodos LED, relojes digitales y teléfonos celulares. Se debe tener en cuenta que lo sistemas de captación de energía RF son mayormente utilizados para aplicaciones de baja potencia como dispositivos de Internet de las cosas (IoT). Los resultados obtenidos durante este trabajo investigativo servirán como base para futuros trabajos que serán realizados dentro del proyecto de investigación “Captación de energía limpia de baja potencia para alimentación de dispositivos de quinta generación (5G)” el cual actualmente se encuentra en proceso de desarrollo e implementación, pues se dispone de información científica y actualizada acerca de las etapas óptimas de sistemas de captación y almacenamiento de energía de RF. Este hecho permite abrir las puertas en direcciones de investigación orientadas en cada etapa. Por lo que como trabajos futuros tendremos, por ejemplo, desarrollo de antenas eficientes, optimización del acoplamiento de las secciones de antenas y rectificación, estrategias de administración de energía, y estudio de medios de almacenamiento adecuados. Así sucesivamente, seguirán apareciendo nuevas direcciones en el proceso de investigación, orientadas en la optimización de los sistemas de captación y almacenamiento de energía de RF. Finalmente se realizó una aplicación para dispositivos Android en la cual consta toda la información y resultados obtenidos durante la presente investigación, mostrándose de manera 87 Enfoque UTE, V.14 -N.1, Ene. 2023, pp. 75-90 didáctica. La utilidad de la aplicación desarrollada es de proveer información científica organizada, sintetizada y actualizada al interesado acerca de Etapas óptimas de sistemas de captación y almacenamiento de energía de RF. La aplicación será actualizada de manera periódica mensual, conforme a nuevos trabajos de investigación y avances del proyecto en desarrollo con la finalidad de proveer siempre de información actualizada. Agradecimientos 
Los autores agradecen a la Universidad Técnica de Ambato y a la “Dirección de Investigación y Desarrollo” (DIDE) por su apoyo en la realización de esta investigación, en la ejecución del proyecto “Captación de energía limpia de baja potencia para alimentación de dispositivos de quinta generación (5G)”, aprobado con resolución “N.º UTA-CONIN-2022-0015-R”. Código de Proyecto de Investigación: SFFISEI 07. 
Referencias
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Rectificador de microondas de alta eficiencia con línea de transmisión acoplada para la recolección de energía de baja potencia y la transmisión de energía inalámbrica

 Se propone un rectificador de microondas de alta eficiencia con una línea de transmisión acoplada para la recolección de energía de baja potencia y la transmisión de energía inalámbrica en este artículo, se propone un rectificador de microondas basado en diodos de Schottky que emplea líneas de transmisión acopladas (CTL). CTL se usa en este documento para mejorar la amplitud de voltaje a través del diodo Schottky con el consiguiente aumento en la eficiencia del rectificador, especialmente para poderes de entrada bajas. También se muestra que los CTL en cascada múltiples pueden mejorar aún más la eficiencia de conversión del rectificador, incluso si este beneficio está parcialmente aniquilado por la mayor pérdida de inserción. Se han fabricado y se han fabricado varios prototipos compactos con CTL simples y duales para 2.45 GHz para diferentes niveles de potencia de entrada. En particular, un solo rectificador CTL exhibe una eficiencia de conversión de RF a DC del 67.7% para una potencia de entrada de 0 dBm, lo que lleva a una mejora de aproximadamente el 3% con respecto a otros rectificadores referidos (con una carga de CC de 4.47 k), mientras que El rectificador CTL dual tiene una eficiencia sobresaliente de 75.3% para una potencia de entrada de solo 5.5 dBm (con una carga de CC de 1.76 K). El impulso de voltaje pasivo por medio de CTL se puede aplicar a otros circuitos de rectificadores, como también se demostró.

Términos de índice: línea de transmisión acoplada (CTL), recolección de energía, baja potencia, rectificador de microondas, transmisión de potencia inalámbrica (WPT). 

I. Introducción

 La transmisión de energía inalámbrica (WPT) y las tecnologías de recolección de energía son, hoy en día, los dos temas de investigación en gran medida considerados porque pueden proporcionar el manuscrito único recibido el 21 de julio de 2020; revisado el 18 de septiembre de 2020; Aceptado el 20 de septiembre de 2020. 

Este trabajo fue apoyado en parte por la Fundación Nacional de Ciencias Naturales de China bajo el Proyecto 61701082, Proyecto 61701116, Proyecto 61601093, Proyecto 61971113 y Proyecto 61901095; en parte por el Programa Nacional de I + D bajo el Proyecto 2018YFB1802102 y Project 2018AAA0103203; en parte por el Plan de Investigación y Desarrollo Provincial de Guangdong en áreas clave bajo el Proyecto 2019B010141001 y Project 2019B010142001;

 En parte por el Programa de Planificación de Ciencias y Tecnología Provinciales de Sichuan bajo el Proyecto 2018HHH0034, Proyecto 2019YFG0418, Proyecto 2019YFG0120, Proyecto 2018JY0246 y Proyecto 2020YFG0039; En parte por el Ministerio de Educación - Programa de Fondos Móviles China bajo el Proyecto MCM20180104; En parte por el Programa de Ciencia y Tecnología de Yibin: proyectos clave bajo Project 2018ZSF001 y Project 2019Gy001; y en parte por los fondos de investigación fundamentales para las universidades centrales bajo el Proyecto ZYGX2019Z022. Este artículo es una versión ampliada del Simposio de microondas Internacional IEEE MTT-S IEEE 2020 (IMS2020), Los Ángeles, CA, EE. UU., 6 de agosto de 2020. (Autores correspondientes: Daniele Inserra; Guangjun Wen). Los autores están con la escuela de información e Ingeniería de la Comunicación, Universidad de Ciencia y Tecnología Electrónica de China, Chengdu 611731, China (correo electrónico: zhaofading@163.com; inserradaniele@uestc.edu.cn; wgj@uestc.edu.cn). Las versiones de color de una o más de las figuras en este artículo están disponibles en línea en http://ieeExplore.ieee.org. Identificador de objeto digital 10.1109/TMTT.2020.3027011 

Característica de dispositivos de alimentación remota, que se puede explotar para cargar teléfonos móviles, computadoras portátiles y otros dispositivos electrónicos portátiles, o incluso automóviles eléctricos estacionados [1], alimentando sensores y actuadores de alimentación, transmisión de energía en inaccesible o regiones peligrosas para permitir una existencia sostenible y "alimentar" vehículos eléctricos, vehículos aéreos no tripulados (UAV) y plataformas de gran altitud [2]. Además, todas las aplicaciones citadas anteriormente hacen posible la realización de conceptos científicos y visiones futuras, como la estación de energía solar espacial [3], o ciudades inteligentes, edificios inteligentes e Internet de las cosas (IoT), donde una gran cantidad de dispositivos 

Es necesario que aumente la demanda de soluciones que proporcionen autonomía a estos dispositivos [4]. Como uno de los componentes principales de los sistemas de recolección de energía y WPT, el diseño de rectificadores de microondas que puede convertir de manera eficiente la energía de RF recibida en una potencia de CC es extremadamente importante para la rápida difusión de las tecnologías citadas anteriormente, especialmente para los niveles de potencia de entrada bajos de baja entrada. [5] - [7]. Un rectificador de microondas convencional generalmente contiene una combinación de uno o más dispositivos rectificadores, por ejemplo, diodos y transistores de Schottky, en serie o derivación, voltaje duplicador o configuración de puente modificada [8] - [13]. Además, el filtro de paso bajo de entrada (LPF)/red de coincidencia de impedancia, el filtro de pase de CC de salida y la carga resistiva son los otros componentes fundamentales de un rectificador clásico. La rectificación es un proceso no lineal en el que el resultado final es una combinación de algunos componentes de CC resultantes más armónicos [14]. Por lo tanto, se ha propuesto la terminación armónica y las técnicas de recolección armónica para controlar oportunamente los componentes armónicos durante el proceso de rectificación, lo que resulta en una mejora de la eficiencia [15] - [19]. En particular, las pérdidas de potencia de diodo se han identificado como el factor más limitante para lograr una alta eficiencia, y se han investigado y propuesto diferentes técnicas de terminación armónica y, en consecuencia, para reducir la potencia perdida en el diodo, por ejemplo, clase C [15], clase-D [16], clase-E [17] y clase-F/Inverse Clase-F (Clase-F-1) [18], [19] . Las técnicas de terminación armónica se han implementado efectivamente para lograr una alta eficiencia cuando la potencia de entrada del rectificador es relativamente alta, por ejemplo, mayor o igual que 10 dBm; En tal situación, de hecho, opera un diodo Schottky de alta barra Como un interruptor ideal [20]. Sin embargo, los circuitos de rectificadores no pueden obtener alta eficiencia para una potencia de entrada más baja porque el dispositivo de diodo Schottky no lineal requiere una cantidad mínima de energía para activarse [21]. Particularmente, el voltaje de entrada debe ser mayor que cierto valor umbral para permitir que el diodo comience para generar un voltaje de CC relativamente grande. Para mejorar la eficiencia de conversión en niveles de baja potencia, se han adoptado y discutido diferentes estrategias en la literatura. En particular, el primer método sencillo es mejorar la eficiencia de todas las partes del circuito rectificador. Con este fin, se ha empleado un sustrato dieléctrico RT/Duroid 5880 de baja pérdida en [22] para diseñar un circuito rectificador de diodos de una sola serie. En [23], la temperatura óptima de trabajo de diodos se ha investigado para mejorar el rendimiento del diodo a niveles de baja potencia. En particular, se ha fabricado un rectificador en dieléctrico RT/Duroid 6002 de baja pérdida, obteniendo el 17.5% de la eficiencia de conversión para una potencia de entrada de -30 dBm a 10 ° C. También se han propuesto rectificadores de varias etapas para mejorar el nivel de voltaje en el régimen de baja potencia [24]-[26]. No obstante, el número de rectificadores en cascada no se puede tomar demasiado debido a un aumento de pérdidas generales, lo que generalmente conduce a una reducción de la eficiencia de conversión RFTO-DC, y por esta razón, una compensación entre el número de etapas y la pérdida de energía debe ser hecho durante dicho diseño. Además, los rectificadores de varias etapas son complejos en diseño y análisis teórico. Como ejemplo, se diseñaron y analizaron los rectificadores de doble voltaje de Dickson de una/dos etapas en la tecnología PCB en [13] y [27]-[29], con la eficiencia de conversión final de RF a DC de aproximadamente 70% para un potencia de entrada de −1 dBm a 900 MHz [29]. También se ha descrito varias metodologías para compensar el voltaje umbral de diodo. Para los rectificadores de varias etapas en la tecnología CMOS analógica estándar, se ha propuesto el método de compensación de umbral que tiene la intención de mejorar el potencial de unión del diodo para lograr una mayor eficiencia en niveles de potencia de ultralownw [24], [30]. Sin embargo, dicho método aumenta la complejidad del diseño del rectificador, y no se puede utilizar para el diseño de rectificadores de PCB personalizados. En [31], se ha empleado una fuente de energía térmica en una RF ambiental cooperativa mixta y un cosechador de energía térmica para sesgar el diodo y lograr una mayor eficiencia de conversión, lo que lleva a una eficiencia de conversión de 33.4% para una potencia de entrada de -30 dBm. También se han propuesto señales de entrada multitona para aumentar el voltaje de entrada de pico a pico del rectificador, lo que lleva a una mejora de la eficiencia de conversión de potencia para potencias de entrada promedio bajas [32]-[34]. Sin embargo, tales rectificadores aumentan la complejidad del diseño del rectificador (porque requieren el diseño de redes de coincidencia de banda ancha) y el sistema WPT general también. En el trabajo preliminar, estos autores han propuesto un rectificador de microondas de diodo Schottky de alta eficiencia compacta y alta para una potencia de entrada de 0 dBm basada en una línea de transmisión acoplada (CTL) [35], mostrando, experimentalmente, que CTL puede diseñarse para filtrar armónicos de alto orden. Este artículo extiende el trabajo preliminar presentado en [35] al proponer un análisis teórico completo y detallado del rectificador CTL y su diseño, considerando regímenes de baja y alta potencia, y presentando un amplio experimental

Fig. 1. Esquema conceptual de un rectificador de diodos Schottky convencional de una sola conmutación


Donde el PIN es la potencia de entrada de RF, mientras que Ploss representa todas las pérdidas de potencia del proceso de rectificación, generalmente identificada en tres términos principales: pérdidas de diodo Pdiodo, pérdida, pérdidas de PCB PPCB, pérdida e impedancia de pérdidas de falta de incomparación PMAching, pérdida [18]. Después de algunas manipulaciones matemáticas, (1) se puede reescribir como 
Donde el PIN es la potencia de entrada de RF, mientras que Ploss representa todas las pérdidas de potencia del proceso de rectificación, generalmente identificada en tres términos principales: pérdidas de diodo Pdiodo, pérdida, pérdidas de PCB PPCB, pérdida e impedancia de pérdidas de falta de incomparación PMAching, pérdida [18]. Después de algunas manipulaciones matemáticas, (1) se puede reescribir como


Fig. 2. Conventional microwave to dc power conversion efficiency curve as a function of the input power
se alcanza cuando la potencia de entrada está cerca de Pdc,max = V 2 br/4RL (debido a que el voltaje de ruptura del diodo Vbr limita la excursión máxima de la potencia de salida de CC [37]). Cuando Pin excede este valor, ηrect comienza a degradarse porque incluso si el voltaje pico a pico es mayor que el voltaje de ruptura del diodo Vbr, el voltaje de salida no puede aumentar también. Por otro lado, en el régimen de baja potencia, el voltaje de polarización inversa de CC del diodo introducido por el voltaje de la resistencia de carga del rectificador a lo largo de la ruta de CC (que es igual al voltaje de CC de carga Vout) es menor o comparable con la construcción del diodo directo. -en potencial Vbi; En esta situación, no hay suficiente energía de entrada para encender el diodo y comenzar a cargar el condensador de salida. Como se analiza en [18], las pérdidas de diodo normalizadas se pueden aproximar como

donde Vout corresponde al valor medio del voltaje a través el diodo Vd (t), es decir,
Dado que Vout es el voltaje rectificado a través de la resistencia de carga, en general aumenta con el aumento en el componente de frecuencia fundamental del voltaje a través del diodo Vd [15], [18]. Finalmente, in también es función de Pin porque la conductancia no lineal del rectificador cambia con el nivel de potencia de entrada y, por esta razón, la adaptación de impedancia debe realizarse correctamente. B. Rectificador basado en línea de transmisión acoplada En este trabajo, se emplea un CTL [35] para aumentar el voltaje Vd a través del diodo y, en consecuencia, obtener una mejora de la eficiencia del rectificador en el régimen de baja potencia como se analizó anteriormente. La figura 3 muestra el circuito rectificador de microondas de diodo Schottky de derivación única propuesto. Consiste en un condensador de bloque de CC C1, una línea de transmisión corta (TL) con impedancia característica ZTL y longitud angular θTL, una CTL con un extremo en cortocircuito, un diodo Schottky D1, un extremo corto λ/8 con impedancia característica Zstub, un filtro de CC compuesto por el inductor de RF L1 y el condensador C2, y una carga resistiva RL.
Fig. 3. Esquema del rectificador basado en CTL propuesto.

Como se presenta en [35], el CTL se puede caracterizar por la matriz ABCD correspondiente, es decir,
cuyas entradas pueden escribirse explícitamente como
 

donde Zce y Zco son las impedancias características de modo par e impar del CTL, respectivamente, mientras que θc es su longitud angular. En [38], estos tres grados de libertad se utilizaron para obtener una adaptación de impedancia en dos frecuencias diferentes y luego se optimizaron para lograr una adaptación de impedancia de banda ancha. En particular, la impedancia Zin,3 a la frecuencia de trabajo f0 puede escribirse formalmente como [38]
donde Zin,2 = Z D + j Zstub (Z D es la impedancia del diodo Z D = RD − j X D, y j Zstub es la reactancia del trozo en f0 [6]). Suponiendo que TL sea muy corto, tal que Zin,4 ≈ Zin,3 y Zin = 50, se puede lograr la adaptación de impedancia cuando Re{Zin,3} = 50 e Im{Zin,3} = 0. En este trabajo, en lugar de Al explotar los grados de libertad del CTL para lograr un rendimiento multifrecuencia, se emplea un criterio de diseño diferente, es decir,


que representa una ganancia de voltaje introducida por el CTL; este aumento de voltaje pasivo se emplea aquí para mejorar la dinámica del voltaje de entrada con el consiguiente aumento en el voltaje de CC a través del diodo Vout, como se analiza en II-A. En este trabajo se han utilizado TL de microcinta acopladas asimétricamente acopladas con bordes para implementar los parámetros Zce y Zco requeridos. 
Fig. 4. (a) Esquema del rectificador clase F-1 [6] utilizado para comparación. (b) Curvas de eficiencia de conversión de potencia simuladas para un rectificador basado en CTL y un rectificador clase F-1 obtenidas optimizando todos los parámetros de diseño de los rectificadores en cada nivel de potencia de entrada. (c) Vd y Vin de clase F-1 y un-CTL. (d) Contribuciones a la pérdida de potencia para Pin = −5 dBm
Los beneficios introducidos por el aumento de voltaje pasivo aquí descrito para diferentes niveles de potencia de entrada se comparan comparando las eficiencias de conversión totales de un rectificador basado en CTL (diseñado para la frecuencia de 2,45 GHz) y las de un rectificador de clase F inversa (F-1) [ 6] cuyo esquema se muestra en la Fig. 4 (a), y los resultados se informan en la Fig. 4 (b). En particular, las curvas de eficiencia de conversión total se han obtenido optimizando todos los parámetros de diseño con la herramienta comercial Keysight ADS para cada Pin de potencia de entrada, lo que lleva a curvas ideales de eficiencia máxima alcanzable (para esto se ha empleado un Avago HSMS2860 sobre un sustrato dieléctrico Rogers RO4003C de 0,508 de espesor). análisis; para el caso Pin = −5 dBm, los parámetros optimizados para el rectificador CTL son Zstub = 82,6, Zce = 45, Zco = 92, θc = 45◦ y RL = 4500; y parámetros optimizados para la clase -F−1 son Zstub,λ/8 = 93,4, Zstub,λ/12 = 93,4 y RL = 2860). Como se puede observar, la introducción del CTL aumenta efectivamente la dinámica del voltaje de entrada (como se muestra en la Fig. 4 (c) para el caso Pin = −5 dBm, donde Gv = 5.65), lo que lleva a un voltaje de CC Vout mayor que la obtenida con el rectificador clase F-1 y, en consecuencia, para reducir las pérdidas de los diodos, como se puede deducir de (3) y confirmar en la Fig. 4 (d). Curiosamente, el uso de CTL mueve la curva de eficiencia hacia valores de Pin más bajos, y en la Fig. 4 (b) se observa una ganancia efectiva aproximada de aproximadamente 3 dB. Además, dado que el ramal λ/8 implementa una segunda terminación de armónicos de corriente [6], mientras que CTL actúa como un filtro de armónicos y reduce parcialmente otros armónicos [35], las eficiencias del rectificador basado en CTL son excelentes también para valores de potencia de entrada más altos. En teoría, el aumento de voltaje pasivo Gv introducido mediante el uso de un CTL se puede mejorar aún más empleando más CTL en cascada, como se muestra en la Fig. 5 (a) (donde se emplean dos CTL) y (b) (tres CTL). La sección de dos CTL en cascada se puede caracterizar evaluando la matriz ABCD correspondiente, que se lee fácilmente 
donde los subíndices 1 y 2 se refieren a elementos de la matriz del primer y segundo CTL, respectivamente. Por lo tanto, la impedancia de entrada Zin de un rectificador de dos CTL se puede derivar como
(la derivación de la impedancia de entrada para el rectificador de tres CTL sigue el mismo procedimiento). Las eficiencias totales optimizadas logradas con el uso de dos y tres CTL se muestran en la Fig. 5 (c). En general, el mayor número de CTL en cascada es beneficioso para reducir las pérdidas de diodo (como también se muestra en la Fig. 5 (d) para el caso Pin = −5 dBm), incluso si este beneficio es parcialmente aniquilado por el aumento de la pérdida de inserción de CTL. Para comprender mejor las ventajas de la estructura del rectificador propuesta, las contribuciones a la pérdida de potencia del diodo se han separado en Ploss,Rs y Ploss,Cj,Vbi, que representan las pérdidas asociadas con la resistencia en serie del diodo Rs y la asociada con la capacitancia de la unión Cj. 0 y voltaje incorporado Vbi, respectivamente, como se muestra en la Fig. 5 (e) (estas contribuciones se han calculado, como se describe en [18] y [27]). Como se puede observar, el uso de CTL puede reducir drásticamente las pérdidas debidas a Vbi, como se analizó anteriormente, mientras que se observa un pequeño aumento en las pérdidas asociadas con Rs. Cuando se consideran altos niveles de potencia de entrada, los CTL en cascada también pueden lograr una alta eficiencia. En tal situación, el aumento pasivo de voltaje no es importante porque la dinámica de voltaje de la señal de entrada ya ha alcanzado la dinámica máxima del diodo Schottky y, por esta razón, se ha observado una reducción óptima general de Gv con el aumento de Pin (Gv optimizados para rectificador de un CTL son 5,65, 5,16 y 4,25 para Pin = −5, 0 y 5 dBm, respectivamente; para dos CTL, los Gv totales optimizados son 6,47, 6,07 y 4,97, respectivamente; y para tres CTL , 6,37, 6,1 y 4,4, respectivamente); por lo tanto, los parámetros de diseño de CTL están optimizados para filtrar los armónicos de los diodos, lo que genera bajas pérdidas en los diodos, como se muestra en la Fig. 5 (f). La mejor eficiencia se obtiene para dos CTL en cascada, lo que conduce al mejor equilibrio entre filtrado de armónicos y pérdida de inserción. Finalmente, es interesante que el pico de eficiencia ηmax = 81,6% de dos rectificadores CTL en cascada se obtiene para Pin = 10 dBm, mientras que el pico de eficiencia ηmax = 80,6% del rectificador clase F-1 se obtiene cuando Pin = 12 dBm . Esto se debe a que dado que el rectificador CTL optimizado tiene una resistencia de carga óptima mayor (1171) que la del rectificador clase F-1 (960), según (2), el pico de eficiencia se logra para niveles de potencia de entrada más bajos [39 ]. C. Adaptación de impedancia y diseño de rectificador basado en CTL Como se analizó en II-A, la adaptación de impedancia del rectificador es extremadamente importante para lograr una alta eficiencia de rectificación y depende en gran medida de la impedancia del diodo Z D. En particular, un diodo Schottky Avago HSMS2860 (con serie resistencia Rs = 6, capacitancia de unión de polarización cero Cj0 = 0,18 pF, voltaje de ruptura Vbr = 7 V y potencial incorporado Vbi = 0,65 V) se ha considerado para determinar Z D para diferentes pines, como se muestra en la Fig. 6. Como se puede observar, RD es inferior a 50 en el régimen de baja potencia (Pin ≤ 0 dBm), y el diodo se caracteriza por una reactancia capacitiva X D del orden de 200–300. Como se analiza en [6], se emplea un TL de extremo corto λ/8 (cuya impedancia Zλ/8 = j Zstub tan((π/4)(ω/ω0)) es igual a j Zstub en f0) para cancelar ( o al menos reducir) esta reactancia capacitiva X D. En un caso ideal, dado que la reactancia del trozo λ/8 j Zstub compensa la reactancia capacitiva del diodo Schottky X D en f0, la impedancia Zin,2 es puramente resistiva con valores del orden de 30, para lo cual no es difícil obtener una buena adaptación de impedancia con CTL a través de (7) [38]. Vale la pena señalar que, para la estructura del rectificador clase F-1 considerada anteriormente (que emplea un TL para la adaptación de impedancia de entrada), cuando la resistencia del diodo es inferior a 50, la adaptación de impedancia no es fácil y requiere una TL larga (para Pin = −5 dBm y una longitud TL es de 10,6 mm, es decir, θTL ≈ 60◦). Por lo tanto, el uso de CTL también es beneficioso para igualar fácilmente la impedancia de entrada en el régimen de baja potencia, es decir, cuando la resistencia del diodo es pequeña. El TL corto que se puede ver en la Fig. 3 se ha ignorado durante la descripción de la adaptación de impedancia. Aunque no es necesario desde un punto de vista teórico, se emplea por tres razones principales: la primera es que puede separar la sección CTL del punto de conexión de entrada, logrando una mejor disposición como se puede observar en las imágenes de rectificadores fabricados que se muestran en la Sección III. En segundo lugar, puede compensar pequeñas variaciones de impedancia con respecto al caso ideal descrito anteriormente. De hecho, los valores prácticos de Zstub no son mayores que 150 , lo que dificulta la compensación perfecta de la reactancia capacitiva del diodo X D. En tercer lugar, la necesidad de satisfacer simultáneamente (7) y (8) limita los posibles valores de Gv, especialmente para potencias de entrada más bajas. Por lo tanto, la presencia del TL corto relaja la restricción de adaptación de impedancia, que ahora se puede reescribir como


Fig. 5. Esquema del rectificador propuesto con (a) dos CTL en cascada y (b) tres CTL en cascada. (c) Curvas de eficiencia de conversión de potencia simuladas para dos y tres rectificadores basados en CTL obtenidas optimizando todos los parámetros de diseño del rectificador en cada nivel de potencia de entrada. (d) Contribuciones a la pérdida de potencia para Pin = −5 dBm. (e) Detalle de las pérdidas del diodo para Pin = −5 dBm. (f) Contribuciones a la pérdida de potencia para Pin = 10 dBm.
Fig. 6. (a) Esquema empleado para evaluar el circuito de impedancia del diodo (donde C1 y L1 son componentes ideales). (b) Impedancia de diodo Avago HSMS2860 simulada para diferentes niveles de potencia de entrada (f0 = 2,45 GHz y RL = 4470)
Esto también se demuestra por el hecho de que, en el caso Pin = −5 dBm (que requiere la síntesis de alto Gv), la longitud TL optimizada θTL para un solo CTL es de aproximadamente 50◦, mientras que, en el caso Pin = 10 dBm (que no requiere la síntesis de Gv alto), la longitud de TL optimizada es de solo 20 ◦. El software MATLAB se utiliza para determinar un conjunto de parámetros de diseño iniciales para el rectificador de la Fig. 3. En particular, a partir del valor de impedancia del diodo en la Fig. 6, la impedancia característica del stub se determina como Zstub = |Xd | o el valor máximo de impedancia implementable según los límites de fabricación del ancho de línea de microcinta. Después de eso, se emplea la impedancia Zin,2 = RD − j(X D − Zstub) para resolver (11) y (8). En particular, la función fmincon de MATLAB (que resuelve problemas de minimización multivariable no lineales restringidos) se emplea para minimizar la función 1/Gv, es decir, maximizar Gv, con la restricción de desigualdad no lineal |in|=|((Zin − 50)/(Zin + 50))| ≥ 20 dB y determine los parámetros óptimos Zce, Zco, θs, ZTL y θTL. Después de este primer procedimiento de diseño, que, según la Fig. 6, para Pin = −5 dBm condujo a Zstub = 236 (se establece inicialmente una impedancia característica de 130, que corresponde a una línea microstrip de 0,1 mm de ancho). ), Zce = 25, Zco = 47, θc = 45◦, ZTL = 15 y θTL = 50◦, se emplea el simulador de circuito comercial Keysight ADS para optimizar los parámetros finales en su entorno de simulación electromagnética completa. III. RESULTADOS EXPERIMENTALES Un diodo Schottky Avago HSMS2860 y el sustrato dieléctrico Rogers RO4003C (εr = 3,55 y tan δ = 0,0034)
Fig. 7. Diagrama del sistema probado.
con un espesor de 0,508 mm han sido seleccionados para fabricar varios prototipos del rectificador de microondas basado en CTL presentado en este trabajo. En particular, se ha considerado una frecuencia de trabajo de alrededor de 2,45 GHz y tres potencias de entrada diferentes Pin = −5, 0 y 5 dBm para comparar el rendimiento del rectificador basado en CTL con una campaña de medición experimental. Los resultados experimentales se obtuvieron de acuerdo con la configuración de medición que se muestra en la Fig. 7 [40], [41]. Se ha utilizado un generador de señal (Agilent N5171B) para generar el Pin de potencia de entrada requerido, que ha sido calibrado con un medidor de potencia Agilent E4418B. Después de eso, cada rectificador de microondas se conectó al generador de señales y el voltaje de CC producido Vout a través de la resistencia de carga variable RL se midió con un multímetro digital (Agilent 34401A). A. Pin de la caja = −5 dBm El prototipo fabricado del rectificador basado en CTL con un CTL (tamaño final 3,5 × 3,4 cm2) se muestra en la Fig. 8(a). Como se puede observar, la introducción del TL corto es muy importante para separar el condensador C1 de la implementación del CTL. Además, se ha introducido otro TL corto entre el punto de entrada y la sección de carga de CC para separar las partes de CC y RF (este TL sólo tiene efectos menores durante el proceso de diseño). Se midió el voltaje de CC Vout a través de la resistencia de carga para determinar la eficiencia de conversión total η de acuerdo con (2) cuando f0, Pin y RL se varían singularmente, y los resultados de la medición se muestran en la Fig. 8(b)–(d ), respectivamente. En general, los resultados de la simulación y la medición concuerdan bien, incluso si en la Fig. 8 (b) y (c), respectivamente, se ven un pequeño desplazamiento de frecuencia y valores de Vout (y eficiencia) mejorados para Pin más altos, principalmente debido al diodo y imprecisiones del modelo de paquete, variaciones de permitividad dieléctrica y otras tolerancias de fabricación. La eficiencia máxima del 60,4% a 2,39 GHz se mide para RL = 4470. Además, se encuentra que η ≥ 50% se mide para un rango relativamente amplio de RL (de 1500 a 8000) y Pin (de −6 a +7 dBm). También se diseñó y fabricó un rectificador basado en CTL con dos CTL (tamaño final 4,3 × 3,4 cm2) (para la misma potencia de entrada Pin = 5 dBm), y en la Fig. 9 (a) se muestra una imagen del prototipo. En este caso, se mide una eficiencia máxima del 58,5% a 2,39 GHz, como se muestra en la Fig. 9(b) (RL = 4070), que es aproximadamente un 3% menor que el resultado simulado. Mediante un intenso trabajo de simulación, se ha descubierto que el rectificador de dos CTL es más sensible a las tolerancias de fabricación (un error de fabricación de 0,01 mm en la realización del diseño del rectificador de dos CTL puede introducir una reducción de la eficiencia de conversión de aproximadamente un 2%) , y esta es probablemente la razón principal de este resultado. Eficiencia medida (y simulada) en función del Pin para la frecuencia óptima de 2,39 GHz
Fig. 8. (a) Imagen del rectificador CTL fabricado para Pin = −5 dBm, (b) eficiencia de conversión medida en función de la frecuencia fundamental f0 (RL = 4470 y Pin = −5 dBm), (c) en función de la potencia de entrada Pin (f0 = 2,39 GHz y RL = 4470), y (d) en función de RL (f0 = 2,39 GHz y Pin = −5 dBm).

Fig. 9. (a) Imagen del rectificador de dos CTL fabricado para Pin = −5 dBm, (b) eficiencia de conversión medida en función de la frecuencia fundamental f0 (RL = 4070 y Pin = −5 dBm), (c ) en función de la potencia de entrada Pin (f0 = 2,39 GHz y RL = 4070), y (d) en función de RL (f0 = 2,39 GHz y Pin = −5 dBm).
se representa en la Fig. 9 (c) (RL = 4070), mientras que la Fig. 9 (d) muestra los resultados de eficiencia en función de RL a 2,39 GHz. En cuanto a un CTL, se encuentra que un amplio rango de RL (de 2000 a 7500) y Pin (de −7 a +6 dBm) satisfacen η ≥ 50%. B. Pin del caso = 0 dBm Para este caso, se fabricó un rectificador basado en CTL con un solo CTL (tamaño final: 3,6 × 3,4 cm2), como se muestra en la Fig. 10(a). Se mide una eficiencia máxima del 67,7% a 2,38 GHz, como se muestra en la Fig. 10(b) (RL = 4200), ligeramente mayor que las simulaciones. Eficiencia medida (y simulada)
Fig. 10. (a) Imagen del rectificador fabricado para Pin = 0 dBm, (b) eficiencia de conversión medida en función de la frecuencia fundamental f0 (RL = 4200 y Pin = 0 dBm), (c) en función de la potencia de entrada Pin (f0 = 2,38 GHz y RL = 4200), y (d) en función de RL (f0 = 2,38 GHz y Pin = 0 dBm).

Fig. 11. (a) Imagen del rectificador CTL único fabricado para Pin = 5 dBm, (b) eficiencia de conversión medida en función de la frecuencia fundamental f0 (RL = 2420 y Pin = 6 dBm), (c) como en función de la potencia de entrada Pin (f0 = 2,38 GHz y RL = 2420), y (d) en función de RL (f0 = 2,38 GHz y Pin = 6 dBm)

en función de Pin para la frecuencia de 2,38 GHz se muestra en la Fig. 10 (c) (RL = 4200), mientras que la Fig. 10 (d) muestra la eficiencia en función de RL a 2,38 GHz. En este caso, se encuentra que η ≥ 50% se mide para un rango relativamente amplio de RL (de 1500 a 6000) y Pin (de −3 a +7 dBm). C. Caja Pin = 5 dBm Se han diseñado dos rectificadores basados en CTL con uno y dos CTL, respectivamente, para una potencia de entrada mayor Pin = 5 dBm. En particular, los prototipos fabricados de rectificadores CTL simple (tamaño final: 3,5 × 3,4 cm2) y CTL dual (tamaño final: 3,8 × 3,4 cm2) se muestran en las Figs. 11 y 12, respectivamente, junto con los resultados de medición obtenidos a través de la configuración experimental en la Fig. 7. Los resultados de medición y simulación coinciden para ambos rectificadores (excepto por pequeñas discrepancias como también se discutió anteriormente) y muestran que la eficiencia máxima del rectificador CTL dual es del 75,3 %. se obtiene cuando Pin = 5,5 dBm, mientras que se obtiene una eficiencia máxima similar del 75% para una potencia de entrada ligeramente mayor Pin = 6 dBm con el rectificador CTL único (a la frecuencia de f0 = 2,38 GHz). La Tabla I compara el rendimiento obtenido por los rectificadores basados en CTL y otros rectificadores de microondas diseñados en la Fig. 11. (a) Imagen del rectificador CTL único fabricado para Pin = 5 dBm, (b) eficiencia de conversión medida en función de la frecuencia fundamental f0 (RL = 2420 y Pin = 6 dBm), (c) en función de la potencia de entrada Pin (f0 = 2,38 GHz y RL = 2420), y (d) en función de RL (f0 = 2,38 GHz y Pin = 6 dBm). con potencia de entrada, frecuencia de trabajo y parámetros de diodo Schottky similares. Como se analiza en la Tabla I, el rectificador basado en CTL presentado es muy ventajoso para reducir las pérdidas de diodos debido a Vbi no nulo. De hecho, aunque el diodo empleado exhibe una Vbi = 0,65 V mayor que la del diodo Schottky Avago HSMS2852 empleado en otros artículos referidos, es decir, Vbi = 0,35 V, la eficiencia del rectificador propuesto es mayor que la de [12] para una potencia de entrada de −5 dBm y muy similar a la de [13]. Por otro lado, para niveles de potencia más altos, los rectificadores propuestos muestran una eficiencia sobresaliente a pesar de las mayores pérdidas del material dieléctrico empleado. En particular, el rectificador de dos CTL tiene una eficiencia de hasta el 75,3% para una potencia de entrada de 5,5 dBm, mayor que la eficiencia que se puede obtener con otros rectificadores con más del doble de potencia de entrada. Finalmente, la simplicidad del diseño del rectificador basado en CTL propuesto da como resultado tamaños de PCB compactos. D. Discusión Cabe señalar que el método de aumento de voltaje pasivo propuesto mediante CTL también se puede aplicar a otros rectificadores.
Fig. 12. (a) Imagen del rectificador CTL dual fabricado para Pin = 5 dBm, (b) eficiencia de conversión medida en función de la frecuencia f0 (RL = 1760 y Pin = 5,5 dBm), (c) como función de la potencia de entrada Pin (f0 = 2,38 GHz y RL = 1760), y (d) en función de RL (f0 = 2,38 GHz y Pin = 5,5 dBm).

Fig. 13. (a) Picture of the fabricated CTL bridge rectifier designed for Pin = 3.5 dBm. (b) Conversion efficiencies as function of the input power Pin for the bridge rectifier ( f0 = 0.86 GHz, RL = 7600 . A1: CTL-based bridge rectifier, measured; A2: CTL-based bridge rectifier, simulated; and A3: bridge rectifier w/o CTL, simulated) and for a series diode rectifier ( f0 = 2.45 GHz. B1: CTL-based series diode rectifier, simulated; B2: series diode rectifier w/o CTL, simulated).

estructuras. Por ejemplo, se ha introducido una CTL en un circuito rectificador en puente [42] y optimizado para una frecuencia f0 = 0,86 GHz. El rectificador fabricado (tamaño final: 3,9 × 3,4 cm2) mostrado en la Fig. 13(a) exhibe un rendimiento de eficiencia excelente, como se demuestra en la Fig. 13 (b). La estructura CTL también tiene se ha aplicado a un rectificador de diodos en serie, y el beneficio de la La introducción de un CTL es claramente visible en la Fig. 13 (b) (con un mejora máxima de la eficiencia de alrededor del 5%). Aunque el rango de potencia de entrada considerado en este trabajo fue limitado de −5 a −5 dBm (en el análisis de simulación, de −10 a 25 dBm), esto puede ampliarse teóricamente sin límites. Sin embargo, cabe señalar que el Gv alcanzable Los valores están restringidos por aspectos prácticos, como la microcinta. Precisión de fabricación de CTL y, por esta razón, eficiencias. para niveles de potencia de entrada muy bajos será limitado. Finalmente, en el esquema del rectificador basado en CTL propuesto, el La carga de CC se coloca hacia la fuente, lo que hace que esta configuración más afectados por posibles interferencias de señal, acoplamiento y ruido. Sin embargo, la ventaja de colocar la carga hacia La fuente es que los armónicos pueden filtrarse parcialmente mediante el CTL al regresar a la carga, y esto es particularmente beneficioso para potencias de entrada relativamente altas. De todos modos, se puede aumentar la distancia entre el rectificador y la fuente. optimizando oportunamente el diseño del rectificador (aprovechando presencia del TL corto), reduciendo la interferencia de la señal y acoplamiento. IV. CONCLUSIÓN En este artículo, las ventajas de un aumento de voltaje pasivo. logrado con uno o múltiples CTL en cascada para rectificador La mejora de la eficiencia de conversión a niveles de baja potencia son discutido y demostrado experimentalmente. CTL único o Se aprovechan múltiples grados de libertad de diseño de CTL para lograr una ganancia de voltaje mayor que la unidad, que se expande la dinámica de voltaje de la señal de entrada, garantizando un mejor rendimiento de conversión cuando el nivel de potencia de entrada es bajo. En particular, las curvas de máxima eficiencia alcanzable han reveló que se puede obtener una ganancia efectiva de aproximadamente 3 dB si en comparación con estructuras rectificadoras de clase F inversas similares, con consiguiente mejora de la sensibilidad del rectificador. El uso de También se han investigado múltiples CTL en cascada para obtener más información. mejora, lo que demuestra que este beneficio está limitado principalmente por el aumento de la pérdida de inserción y la sensibilidad de la tolerancia de fabricación. La adaptación de impedancia a la frecuencia fundamental tiene También se ha discutido, lo que demuestra la capacidad de la propuesta. Estructura del rectificador para lograr una muy buena adaptación de impedancia. con una estructura simple, dando lugar a un tamaño compacto. Los resultados experimentales finalmente han demostrado las ventajas del rectificador propuesto, que posee una alta eficiencia. y tamaño compacto, y, por esta razón, tal vez un excelente candidato para aplicaciones de baja potencia, como energía de RF cosecha

REFERENCES
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pp. 1921–1932, May 2020.
Fading Zhao received the M.S. degree in test
measurement technology and instruments from
Southwest Petroleum University, Chengdu, China,
in 2015. He is currently pursuing the Ph.D. degree at
the University of Electronic Science and Technology
of China (UESTC), Chengdu.
His current research interests include microwave
rectifying circuit design and wireless power transmission (WPT).
Daniele Inserra (Member, IEEE) received the B.Sc.
degree and the M.Sc. degree (summa cum laude)
in electrical engineering and the Ph.D. degree in
industrial and information engineering from the University of Udine, Udine, Italy, in 2007, 2009, and
2013, respectively.
He was a member of the Wireless and Power Line
Communications Lab, University of Udine, until
2013. From 2013 to 2014, he was with Calzavara
S.p.a., Basiliano, Italy, as both responsible for the
Non Ionizing Radiation Laboratory’s measurement
activities and a member of the Technical Staff (antennas and electromagnetic
compatibility designer). He is currently performing post-doctoral research at
the University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu,
China. His research interests include antenna array design, RFID systems,
wireless power transfer, infomobility, wireless and power line communication
systems, radio localization and positioning techniques, hardware/software
codesign, rapid prototyping methodologies, hardware and RF devices characterization, and measurement systems.
Authorized licensed use limited to: Carleton University. Downloaded on November 04,2020 at 12:34:14 UTC from IEEE Xplore. Restrictions apply.
This article has been accepted for inclusion in a future issue of this journal. Content is final as presented, with the exception of pagination.
10 IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES
Guoliang Gao received the bachelor’s degree
in electronics science and technology from the
Nanjing University of Aeronautics and Astronautics,
Nanjing, China, in 2018. He is currently pursuing the
M.S. degree at the University of Electronic Science
and Technology of China (UESTC), Chengdu,
China.
His current research interests include microwave
rectifying circuit design and wireless power transmission (WPT).
Yongjun Huang (Member, IEEE) received the M.S.
and Ph.D. degrees from the University of Electronic Science and Technology of China (UESTC),
Chengdu, China, in June 2010 and December 2016,
respectively.
From September 2013 to September 2015,
he was a Visiting Scholar solid-state science and
engineering, and mechanical engineering, Columbia
University, New York, NY, USA, and a Visiting
Project Scientist with the Department of Electrical
Engineering, University of California at Los Angeles
(UCLA), Los Angeles, CA, USA. He is currently an Associate Professor with
the School of Information and Communication Engineering, UESTC. He has
published over 80 journal articles, 70 conference proceeding papers, and
one book chapter. His research interests include antennas, microwave passive
components, electromagnetic metamaterials; chip-scale photonic crystal cavity
optomechanics, low-phase-noise RF sources, and high-resolution force/field
sensors.
Jian Li (Member, IEEE) received the B.S., M.S.,
and Ph.D. degrees in communication and information systems from the University of Electronic
Science and Technology of China, Chengdu, China,
in 2007, 2010, and 2015, respectively.
Since 2017, he has been an Associate Professor
with the School of Communication and Information
Engineering, University of Electronic Science and
Technology of China. He was a Visiting Scholar
with the Center for Computational Electromagnetics, Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois at Urbana–Champaign, Urbana, IL, USA,
from 2016 to 2017. He has authored or coauthored over 80 articles in refereed
journals and conferences. His current research interests include RFID, the
Internet of Things (IoT), passive communication system, bioelectromagnetics,
integrated circuits and system, and electromagnetic metamaterials and its
applications.
Guangjun Wen (Senior Member, IEEE) received
the B.Sc. and M.Eng. degrees from Chongqing
University, Chongqing, China, in 1986 and 1992,
respectively, and the Ph.D. degree from the University of Electronic Science and Technology of China
(UESTC), Chengdu, China, in 1998.
From July 1986 to February 1995, he was
a Lecturer with Chongqing University. He was
a Post-Doctoral Fellow/Associate Professor with
UESTC from July 1998 to May 2000 and a
Post-Doctoral Fellow with the Electronics and
Telecommunication Research Institute, Gwangju, South Korea, from
May 2000 to May 2001. He was a Research Fellow with Nanyang Technological University, Singapore, from May 2001 to September 2002. He was
a Senior RF Design Engineer with VS Electronic Pte., Ltd., Singapore, and
the Sumitomo Electric Group, Yokohama, Japan, from September 2002 to
August 2005. Since January 2004, he has been a Professor with UESTC.
He was a Visiting Professor with the University of California in Los Angeles,
Los Angeles, CA, USA, from April 2015 to May 2015. He has authored or
coauthored more than 300 journal articles, two books, and two book chapters
and presented more than 150 conference papers. He holds more than 50 Chinese patents. His research interests are in radio frequency integrated circuits
and systems for various wireless communication systems, design of RFID tag
and reader, circuit components and antennas design for the Internet of Things,
wireless sensor networks, and wireless energy transmission systems.